从国际家产繁华趋势来看，随着硅半导体质料主导的摩尔定律逐渐走向其物理限度，同时硅也满意没有了微波射频、高效功率电子以及光电子等新须要加紧繁华的须要，以化合物半导体质料，稀奇是为代表的半导体加紧兴起，他日10年将对于国际半导体家产款式重塑孕育相当主要的作用。第三代半导体兴盛于上世纪90年代初，以(SiC)、(GaN)等宽禁带半导体质料为代表，具备击穿电场高、热导率大、电子饱以及漂浮速率高、抗辐射才略强等良好机能，是精深用于信息化社会、、万物互联、今生农业、今生疗养、智能交通、国防安全等中心范畴的枢纽质料，其繁华水平是反应一个国家高本领势力、国防才略以及国际合作力的主要记号之一。
碳化硅是新式电力系统——电网必须的可达万伏千安等第的仅有功率半导体质料，同时也是高铁以及汽车牵引、电控系统的“心脏”，可使高铁能源系统体积、分量减小20%，耗费升高20%；新能源汽车电控系统体积分量削减80%，电能变换效用选拔20%。氮化镓则是今朝能同时完结高频、高效、大功率的仅有质料，是撑持5G通信基站进级换代、6G通信基站优先结构、军用雷达机能得以进步的枢纽质料。
据没有全面统计，2022年美国、英国、意大利、新加坡、日本、法国等国家新结构21个第三代半导体众人研发项目，金额超12.6亿美元。触及质料、外表、器件、系统等各关节，优异8英寸碳化硅衬底以及晶圆建造、车用800V电压平台的碳化硅功率器件及电控系统等。
正在新能源汽车、光伏、等须要动员下，第三代半导体家产高速繁华，2022年寰球碳化硅、氮化镓功率半导体墟市领域约23.7亿美元。
从国际利用范围来看，碳化硅主要利用于新能源汽车、范畴。碳化硅单晶衬底方面，今朝半绝缘型衬底以4英寸为主，导电型衬底以6英寸为主，8英寸导电型、半绝缘型衬底已开垦出样本。面向车用的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)以及碳化硅功率模块是企业现在开垦的中心。氮化镓则主要利用于破费类电子墟市。氮化镓衬底以2至4英寸为主，日本住友化学、三菱化学占寰球85%墟市份额，商业化的氮化镓同质外表仍以2英寸为主，3英寸处于研发阶段。基氮化镓外表质料利用认为主，LED芯片墟市占光电墟市90%以上，、车用以及再现屏利用墟市均消失较大幅度扩充，主要器件企业席卷日亚化学、欧司朗、三星等；硅基氮化镓外表质料主要利用于破费类电子、新能源汽车等范畴，商业化产物以6至8英寸为主，12英寸产物已开垦正推进领域化利用，主要企业席卷英飞凌、安森美、、松下等。
从国际本领繁华水平来看，碳化硅方面，8英寸衬底结束家产化，车规级功率器件是现在开垦中心，多家厂商已推出大功率模组及低温封装产物，碳化硅器件正向耐受更高电压、更高电流密度、更低导通压降、更高开关频次方向繁华。今朝商业化SiC MOSFET产物电压分散正在650V、1200V、1700V，全体新品耐压等第已进步至2000V，越来越多利用于牵引主逆变器、车载充和崎岖压DC-DC变换器中。氮化镓方面，国际上已制备出6英寸单晶衬底，功率器件向袖珍化、高功率密度、耐辐照方向繁华，耐压1200V的商业化产物以及垂直型功率器件已完结小数量供货。以氮化镓射频为例，2022年美国Integra公司发布100V氮化镓射频器件结束出货，意法半导体以及美国Macom公司已损耗出硅基氮化镓底细，多家企业推出氮化镓毫米波产物。
从装置以及辅材繁华来看，一方面，8英寸碳化硅设施有望动员家产链老本下降。2022年德国爱思强股分有限公司揭晓8英寸碳化硅外表设施，比拟合作对于手有10%至15%的老本劣势，瞻望2023年驱策老本下降25%。另一方面，耐低温质料、高效散热质料开垦速率放慢。日本田村公司已开垦出用于第三代半导体器件的无铅焊料接合质料，讨论2023年完结量产。
面对于没有牢靠没有决定的外部境况，第三代半导体始终维持高速繁华态势。以车用为首的卑劣墟市将投入高速增添期，上游晶圆供没有应求，他日多少年8英寸本领将驱策产物机能不停选拔、老本渐渐下降，国产质料以及芯片正在客户真个招供度不停进步。
新一轮科技革命以及家产改革深切繁华，国际力气对于比粗浅保养，我国新质料家产繁华面临新的策略机遇。第三代半导体家产需抓住墟市须要迸发及国产化代替机遇，运用好我国超大领域墟市劣势，连续攻破质料以及器件枢纽本领、完满规范编制、驱策国产代替利用、强化人材培植以及引进，构建因素完整、改革活泼、封闭合资的家产生态。同时，不停优化资源配置，实在选拔家产链供应链韧性以及安全水平，周全选拔家产编制今生化水平，渐渐培植出龙头企业以及改革型集群，引领行业高质量繁华，撑持国家“双碳”策略实行。
（文章起因：经济日报）